日前，中國電科第二研究所宣布，團隊自研設備目前已實現(xiàn)4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進展。

來源：中國電科第二研究所

據(jù)中電科二研所發(fā)布的信息，激光剝離設備有機結(jié)合激光精密加工和晶體可控剝離，實現(xiàn)半導體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時間減少50%以上，并實現(xiàn)晶體加工整線的高度自動化。

激光剝離可用于碳化硅、氮化鎵、金剛石等硬脆半導體材料加工，實現(xiàn)襯底成本的大幅降低，亦可擴展至電力電子與微波射頻芯片制造、異質(zhì)材料復合襯底制造、集成電路先進封裝等領(lǐng)域，實現(xiàn)晶圓減薄、解鍵合等先進工藝，支撐國防軍工、下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展及國家安全、新基建、雙碳經(jīng)濟等國家重大戰(zhàn)略的實施，被譽為半導體材料制備領(lǐng)域的“光刻機”。

目前，團隊已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進展。下一階段，激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設備貫線，真正解決國家第三代半導體關(guān)鍵技術(shù)問題，為國家發(fā)展貢獻力量。