8月2日，SK海力士表示開發(fā)出了業(yè)界最高的238層NAND Flash產(chǎn)品。

圖源：SK海力士

SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度相比上代產(chǎn)品提升50%，讀取數(shù)據(jù)消耗的能量降低21%，它可以用于PC存儲設(shè)備、智能手機(jī)和服務(wù)器。據(jù)悉，SK海力士準(zhǔn)備于2023年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)新芯片。

SK海力士自2018年開發(fā)出96層NAND產(chǎn)品后，推出了超越現(xiàn)有3D產(chǎn)品的4D系列產(chǎn)品。該公司已經(jīng)應(yīng)用電荷阱閃光(CTF)和外圍電池(PUC)技術(shù)來制作4D結(jié)構(gòu)的芯片。與3D相比4D產(chǎn)品的單元面積更小，生產(chǎn)效率更高。

目前，大多數(shù)的閃存芯片仍在生產(chǎn)100+層數(shù)的芯片，但眾多生產(chǎn)企業(yè)對200層的生產(chǎn)工藝都是躍躍欲試。今年稍早，美國西部數(shù)據(jù)與合作伙伴日本鎧俠稱，將很快推出超過200層的BiCS+內(nèi)存芯片，預(yù)定在2024年正式面世。

圖：美光宣布率先量產(chǎn)232層堆棧NAND

參與層數(shù)競爭的三星電子也被曝將在今年底推出200層以上的第八代NAND閃存，業(yè)界猜測可達(dá)224層，傳輸速度和生產(chǎn)效率將提高30%。而美光則在8月初宣布，已經(jīng)提前量產(chǎn)全球首款232層3D NAND芯片。

中國最大NAND閃存制造商長江存儲近日發(fā)布了第四代TLC三維閃存X3-9070，據(jù)媒體稱至少已經(jīng)接近或突破200層大關(guān)。