7月27日，安世半導體官微發(fā)布消息稱，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET。

來源：安世半導體

據(jù)悉，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on) 特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。

新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

RDS(on) 與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低，從而增強可穿戴設備的用戶舒適度。 

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外，Nexperia（安世半導體）還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在VGS= 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ，0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具備市場領先的效率。