德州儀器(TI）今日宣布其位于德克薩斯州謝爾曼的全新12英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地正式破土動工。

圖：TI謝爾曼全新12英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地動工儀式

據(jù)悉，此項目TI投資約300億美元，計劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將制造數(shù)千萬顆模擬和嵌入式處理芯片，廣泛地應(yīng)用于全球市場的各類電子產(chǎn)品領(lǐng)域。

圖：TI謝爾曼全新 12英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地設(shè)計概念圖

TI總裁譚普頓表示：“今天是一個重要的里程碑，我們將為半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的發(fā)展奠定基礎(chǔ)，以滿足客戶未來幾十年的需求。公司成立90多年以來，我們一直致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟實用，讓世界更美好。我們很高興謝爾曼先進的12英寸半導(dǎo)體晶圓制造基地將幫助TI持續(xù)提升制造能力和技術(shù)競爭優(yōu)勢?！?/span>

據(jù)了解，謝爾曼晶圓制造基地中的首座工廠預(yù)計于2025年開始投產(chǎn)。該晶圓制造基地將加入TI現(xiàn)有的12英寸晶圓制造廠陣營，包括德州達拉斯（Dallas）DMOS6；位于德州理查森（Richardson）的RFAB1和即將竣工并預(yù)計于2022年下半年開始投產(chǎn)的RFAB2；以及位于猶他州李海（Lehi）預(yù)計于2023年初投產(chǎn)的LFAB。