5月17日，電子時(shí)報(bào)援引產(chǎn)業(yè)人士消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出產(chǎn)品。

圖：已經(jīng)量產(chǎn)的128層QLC顆粒

報(bào)道稱，由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND閃存工藝良率已改善至較好水平，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將月產(chǎn)量擴(kuò)大至10萬片晶圓。預(yù)計(jì)到2023年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)量可能超過20萬片，全球市場(chǎng)份額有望達(dá)到7-8%。

在3D閃存方面，目前美光、三星都已經(jīng)量產(chǎn)176層閃存，西數(shù)、鎧俠之前合作的是112層閃存，今年將量產(chǎn)162層堆棧的閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存技術(shù)水平達(dá)到甚至超過了他們的量產(chǎn)型閃存。

不過三星今年底將量產(chǎn)224層堆棧的新一代3D閃存，美光近期也官宣了232層堆棧的3D閃存，只是要到明年才能量產(chǎn)，總體上還是會(huì)領(lǐng)先國產(chǎn)1-2年時(shí)間。

對(duì)于國產(chǎn)閃存來說，目前最關(guān)鍵的地方還不是技術(shù)，而是產(chǎn)能，長(zhǎng)江存儲(chǔ)兩期工程的總產(chǎn)能也不過30萬片晶圓/月，相比三星、鎧俠等公司來說還是低不少，特別是這幾年全球半導(dǎo)體廠商都在擴(kuò)大產(chǎn)能，2021年全球產(chǎn)能應(yīng)該會(huì)超過200萬晶圓/月，未來幾年有望超過250萬晶圓/月。