圖：三星基于GAA的3nm工藝

報(bào)道稱，臺(tái)積電將于2022年下半年開始量產(chǎn)3nm產(chǎn)品，并獲得蘋果和英特爾的大筆訂單。然而，臺(tái)積電為三星提供了拉近差距的機(jī)會(huì)，因?yàn)榍罢咴谔岣咂?3nm工藝的良率和增加產(chǎn)量方面遇到了延遲。

一位半導(dǎo)體專家表示，臺(tái)積電將能夠在3nm工藝上保持對三星的優(yōu)勢，但預(yù)計(jì)這兩個(gè)競爭對手將在基于全柵 (GAA) 的2nm工藝中正面競爭，時(shí)間節(jié)點(diǎn)為2025年。由于晚于三星切入GAA架構(gòu)，他預(yù)測，臺(tái)積電在引入基于GAA的2nm工藝的過程中將面臨良率的困難。

雖然三星電子將于2022年6月進(jìn)入基于GAA的3nm工藝，但臺(tái)積電計(jì)劃在今年下半年將現(xiàn)有的鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET) 技術(shù)應(yīng)用于其初代3nm工藝，而2025年從2nm工藝才開始應(yīng)用GAA技術(shù)。

Digitimes 預(yù)測，三星電子將在2023年進(jìn)入第二代3-nm工藝，并在2025年進(jìn)入基于MBC FET的2-nm工藝?！暗牵腔贕AA的3-nm工藝的客戶訂單量少，生產(chǎn)量小，其主要目標(biāo)是推廣技術(shù)，”報(bào)道稱，“從2023年到2025年，三星將無法在3nm工藝上搶走臺(tái)積電的客戶。
 

Digitimes 補(bǔ)充說：“三星的真正目標(biāo)是在2025年在基于GAA的2nm工藝中超越臺(tái)積電，兩者將在2025年進(jìn)行一場至關(guān)重要的比賽?！?/span>