FDV303N 是采用 SOT-23 封裝的表面貼裝、N 通道邏輯電平增強模式數(shù)字 FET。該器件具有高單元密度、DMOS 技術，該技術專為最大限度地降低導通電阻和保持低柵極驅動條件而設計。即使在低至 2.5V 的柵極驅動電壓下，它也具有出色的導通電阻，設計用于使用一節(jié)鋰或三節(jié)鎘或 NHM 電池的電池電路、逆變器、手機等電子設備中的高效微型分立 DC/DC 轉換和尋呼機。